韩国800万亿韩元半导体豪赌：五年DRAM翻倍，三星SK同日遭美诉讼

6 月 29 日，韩国产业通商资源部长官金正宽在李在明总统主持的"大韩民国大飞跃 3 大 megaproject 国民报告会"上宣布，将在西南圈（光州、全罗南道）建设"第二半导体生产基地"，通过 800 万亿韩元（约 3.52 万亿元人民币）的企业投资，新建 4 座内存晶圆厂。

韩国半导体报告会

全国变半导体集群

计划覆盖三个区域：西南圈建 4 座内存 fab，吸引 800 万亿韩元投资；忠清圈作为先进封装基地，三星和 SK 共投入 81 万亿韩元；东南和大庆圈则定位为半导体材料零部件供应链枢纽。金正宽表示，目标是把"大韩民国整体变成半导体集群"。

资本开支规模被显著前置。原定 2040 年代中后期的晶圆厂建设计划，被压缩到 2030 年代中期，最多提前 12 年。政府预计 5 年内将首都圈 DRAM 生产能力翻倍，全球内存市场规模同期预计增长 4 倍。

政府计划在未来 15 年内投入 30 万亿韩元（约 1321 亿元人民币），覆盖芯片研发、设计、生产全周期。这笔投入叠加企业端的 800 万亿，使总投资规模接近此前龙仁半导体集群（900 万亿韩元）的体量。

选址西南圈的核心原因是首都圈承载力见顶。青瓦台政策室长金容范 24 日明确指出，龙仁集群不会缩减，但首都圈在土地、电力、用水方面已无余量。建一座晶圆厂需要 7 到 8 年，必须提前规划基础设施。SK 海力士已将原定 2044 年的建设计划提前 10 年至 2034 年。

同一天（6 月 25 日，加州北区联邦法院），三星、SK 海力士和美光被提起集体诉讼，指控三者协同削减传统 DRAM 产量以推高价格。原告称，三家公司将产能转向 HBM 后，DDR3 和 DDR4 供应被人为压缩，过去四年相关产品价格累计上涨约 700%。

这并非三巨头首次面临价格操纵指控。2000 年代，三星和 SK 海力士曾就 DRAM 价格操纵向美国司法部认罪，合计支付 7.31 亿美元罚款。本次诉讼指出，三星和 SK 海力士此前的刑事定罪记录已构成"重复违法"的先例。

诉讼同时引用了苹果近期因内存成本上涨而调高 iPad 和 Mac 售价的事实作为价格传导的直接证据。Jefferies 预测 2026 年 Q3 内存价格将环比再涨 40% 到 50%，供应紧张可能持续至 2028 年。

韩国的扩产计划与美国的反垄断诉讼同步出现，揭示了一个矛盾：存储芯片产能越集中，供给端的结构性定价权就越强，下游的反抗也会越激烈。

来源：韩联社 · 朝鲜日报 · WCCFTech · India Today